Поиск

Warning: Undefined array key "2417//" in /web/zanos/classes/Edit/EditForm_class.php on line 263

Warning: Undefined array key "2417//" in /web/zanos/classes/Player/SearchArticle_class.php on line 261

№	Поиск	Скачиваний
1	БЕЗИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЙ РАСПАД ПРЯМОГО ЭКСИТОНА В НЕПРЯМОЗОННОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ. // Вестник Томского государственного педагогического университета (Tomsk State Pedagogical University Bulletin). 2011. Вып. 8 (110). С. 49-52 Построена теория безизлучательной диссоциации экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной. Показано, что в GaAs, GaP, а также в Ge под давлением основным механизмом распада экситона является рассеяние электрона на коротковолновых фононах в зоне проводимости. Ключевые слова: полупроводники, экситон, электрон-фононное взаимодействие, метод функционала плотности.	1031

БЕЗИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЙ РАСПАД ПРЯМОГО ЭКСИТОНА В НЕПРЯМОЗОННОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ. // Вестник Томского государственного педагогического университета (Tomsk State Pedagogical University Bulletin). 2011. Вып. 8 (110). С. 49-52

Построена теория безизлучательной диссоциации экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной. Показано, что в GaAs, GaP, а также в Ge под давлением основным механизмом распада экситона является рассеяние электрона на коротковолновых фононах в зоне проводимости.

Ключевые слова: полупроводники, экситон, электрон-фононное взаимодействие, метод функционала плотности.

1031

Содержимое
Библиография
Рубрика	- Не выбрано - - Не выбрано -
Авторы	- Не выбрано -