Поиск

МЕЖДОЛИННОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ НА ЛОКАЛИЗОВАННЫХ И ИНТЕРФЕЙСНЫХ ФОНОНАХ В СВЕРХРЕШЕТКАХ (GAAS)M(ALAS)N(001) // Вестник Томского государственного педагогического университета (Tomsk State Pedagogical University Bulletin). 2012. Вып. 7 (122). С. 62-69

На основе метода псевдопотенциала и феноменологической модели связи исследованы междолинные переходы в зоне проводимости сверхрешеток (GaAs)m(AlAs)n(001), вызванные интерфейсными и запертыми в слоях оптическими колебаниями атомов. Проведен анализ эффектов размерного квантования в электронных и фононных состояниях, определена зависимость деформационных потенциалов от состава и толщины слоев сверхрешеток. Показано, что междолинное Г-М рассеяние наиболее интенсивно, когда волновые функции электронов и вектора поляризации фононов локализованы в одних и тех же слоях сверхрешетки. Интерфейсные колебания возникают в сверхрешетках с достаточно толстыми слоями и вызывают относительно слабые по интенсивности Г-Ј переходы электронов из центральной долины в верхние зоны проводимости.

Ключевые слова: полупроводниковые сверхрешетки, электрон-фононное взаимодействие, междолинное рассеяние, размерное квантовапние